- 企業(yè)
- 供應(yīng)
- 求購
- 資訊
第三代半導(dǎo)體近年來備受關(guān)注，主要聚焦于碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)第三代半導(dǎo)體“雙雄”。
隨著半導(dǎo)體器件應(yīng)用領(lǐng)域不斷擴(kuò)大，特別是特殊場合要求半導(dǎo)體能夠在高溫、強(qiáng)輻射、大功率等環(huán)境下依然堅挺，第一、二代半導(dǎo)體材料略顯無力，第三代半導(dǎo)體材料——寬禁帶半導(dǎo)體材料被寄予厚望。
Yole預(yù)測到2023年碳化硅功率半導(dǎo)體市場規(guī)模將達(dá)14億美元，2023年碳化硅外延片銷售將成長至500,000片/年。
受益于整個半導(dǎo)體行業(yè)宏觀政策利好、資本市場追捧、地方積極推進(jìn)、企業(yè)廣泛進(jìn)入等積極因素，國內(nèi)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)推進(jìn)較為迅速，僅2019年就有超過6個SiC相關(guān)項目簽約落地。
泰科天潤6英寸半導(dǎo)體碳化硅電力電子器件生產(chǎn)線項目
2019年3月29日，由泰科天潤半導(dǎo)體科技(北京)有限公司投資建設(shè)的6寸半導(dǎo)體碳化硅電力電子器件生產(chǎn)線項目正式簽約落戶九江經(jīng)開區(qū)。
該項目總投資10億元，規(guī)劃生產(chǎn)能力達(dá)到6萬片/年，項目滿產(chǎn)后，預(yù)計可實現(xiàn)年產(chǎn)值10.5億元。據(jù)當(dāng)時九江新聞網(wǎng)報道，該項目將建成國內(nèi)首條國際先進(jìn)水平的SiC功率器件生產(chǎn)線，填補(bǔ)九江乃至江西省半導(dǎo)體功率器件的空白。
據(jù)悉，泰科天潤是國內(nèi)第一家致力于第三代半導(dǎo)體材料SiC電力電子器件制造的高新技術(shù)企業(yè)，總部坐落于中國北京中關(guān)村，在北京擁有一座完整的半導(dǎo)體工藝晶圓廠，可在4英寸SiC晶圓上實現(xiàn)半導(dǎo)體功率器件的制造工藝。
百識第三代半導(dǎo)體項目
2019年6月18日，南京百識半導(dǎo)體股份有限公司第三代半導(dǎo)體項目正式落戶南京浦口經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)。
據(jù)浦口經(jīng)開區(qū)官微消息，百識第三代半導(dǎo)體項目總投資10億元，項目計劃在浦口經(jīng)開區(qū)投資建設(shè)研發(fā)中心及生產(chǎn)線，整合海外創(chuàng)新技術(shù)與國內(nèi)產(chǎn)業(yè)資源，對第三代半導(dǎo)體碳化硅和氮化鎵外延片設(shè)計和管件制程等進(jìn)行研發(fā)，產(chǎn)品可廣泛應(yīng)用于信息、新能源發(fā)電、新能源汽車、無人駕駛、軌道交通和智能電網(wǎng)等領(lǐng)域。計劃項目投產(chǎn)后可實現(xiàn)年產(chǎn)值7億元。
值得注意的是，在該項目簽約落地后，南京百識電子科技有限公司成立。
據(jù)和利資本官方消息，和利資本天使輪領(lǐng)投南京百識電子，百識電子生產(chǎn)碳化硅及氮化鎵相關(guān)外延片，包含GaN on Silicon、GaN on Sic以及SiC on SiC，涵蓋功率以及射頻微波等應(yīng)用。核心團(tuán)隊來自亞洲現(xiàn)有第三代半導(dǎo)體外延片領(lǐng)先的供貨商，熟悉市場及客戶不同產(chǎn)品需求與痛點，產(chǎn)業(yè)上游供應(yīng)鏈及下游客戶渠道暢通，實際量產(chǎn)經(jīng)驗超過5萬片晶圓，具備外延片物理規(guī)格與器件特性連結(jié)經(jīng)驗，更能提供制程加值服務(wù)強(qiáng)化外延片產(chǎn)品與客戶競爭力。
百識電子CEO宣融曾表示，核心團(tuán)隊雖然年輕，但已經(jīng)是臺灣第三代半導(dǎo)體市場的領(lǐng)軍團(tuán)隊，彼此合作多年默契十足。我們不止提供高質(zhì)量的外延片，還針對客戶所需的器件特性給予專業(yè)的外延及制程建議，可大幅度提高客戶的產(chǎn)品良率及性能，及時上市。
中科鋼研先進(jìn)晶體產(chǎn)業(yè)化項目
2019年9月5日，中科鋼研先進(jìn)晶體產(chǎn)業(yè)化項目簽約落地上海寶山區(qū)。
據(jù)中科鋼研官方消息，通過此次與寶山區(qū)的合作，擬將在科研水平、產(chǎn)業(yè)規(guī)模、上下游產(chǎn)業(yè)鏈完整性、產(chǎn)業(yè)示范引領(lǐng)作用方面打造領(lǐng)先優(yōu)勢，建設(shè)以上?？偛炕貫楹诵?，擁有國內(nèi)外多個碳化硅晶體材料、碳化硅微粉、碳化硅電子電力芯片生產(chǎn)基地。
博藍(lán)特第三代半導(dǎo)體材料研發(fā)項目
2019年12月2日，浙江博藍(lán)特半導(dǎo)體科技股份有限公司與浙江金華開發(fā)區(qū)簽署項目投資協(xié)議，博藍(lán)特計劃投資10億元，在開發(fā)區(qū)建設(shè)年產(chǎn)15萬片第三代半導(dǎo)體碳化硅襯底及年產(chǎn)200萬片用于Mini/Micro-LED顯示技術(shù)的大尺寸藍(lán)寶石襯底研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項目。
據(jù)悉，浙江博藍(lán)特半導(dǎo)體科技股份有限公司長期致力于GaN基LED芯片(圖形化)襯底及新型半導(dǎo)體材料的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售。
而新簽約的項目，則發(fā)力碳化硅襯底領(lǐng)域。
華大半導(dǎo)體寬禁帶半導(dǎo)體材料項目
2019年12月12日，寧波杭州灣新區(qū)與中國電子信息產(chǎn)業(yè)集團(tuán)有限公司全資子公司——華大半導(dǎo)體有限公司完成寬禁帶半導(dǎo)體材料項目簽約。
該項目總投資10.5億元，計劃年產(chǎn)8萬片4-6英寸碳化硅襯底及外延片、碳化硅基氮化鎵外延片，產(chǎn)品可廣泛應(yīng)用于5G通訊、新能源汽車、軌道交通、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域。該項目的簽約對新區(qū)搶占下一代信息技術(shù)制高點具有較大發(fā)展意義。
據(jù)寧波杭州灣新區(qū)發(fā)布報道，該項目系浙江省首個第三代半導(dǎo)體材料項目。
華大半導(dǎo)體是中國電子信息產(chǎn)業(yè)集團(tuán)有限公司(CEC)整合旗下集成電路企業(yè)而組建的專業(yè)子集團(tuán)。覆蓋了集成電路設(shè)計、制造、封測及應(yīng)用全產(chǎn)業(yè)鏈，公司連續(xù)多年位居中國十大集成電路設(shè)計企業(yè)前列。
中德第三代半導(dǎo)體材料項目
2019年12月16日，中德第三代半導(dǎo)體材料聯(lián)合研究院等四個項目簽約落戶西安涇河新城。
據(jù)悉，中德第三代半導(dǎo)體材料項目是由留德人員發(fā)起，聯(lián)合歐盟第三代半導(dǎo)體實驗室和西北工業(yè)大學(xué)理學(xué)院、南京大學(xué)微電子學(xué)院、西安電子科技大學(xué)等國內(nèi)外研究機(jī)構(gòu)和知名專家，研發(fā)團(tuán)隊的技術(shù)水平為國際領(lǐng)先，可以較高成功率穩(wěn)定產(chǎn)出4英寸和6英寸SiC單晶晶圓，未來該技術(shù)發(fā)展方向為大尺寸SiC單晶制備生產(chǎn)批量成熟技術(shù)和前沿半導(dǎo)體技術(shù)。該成果可廣泛應(yīng)用于新能源車、太陽能風(fēng)能、電力電子、高鐵、電源、雷達(dá)、5G通信、航空航天、機(jī)器人等高精尖領(lǐng)域。
從透露的項目投資額度來看，這些項目大多在10億元左右。
在SiC方面，還有一些企業(yè)值得關(guān)注，例如山東天岳、天科合達(dá)。
山東天岳成立于2010年11月，是以碳化硅半導(dǎo)體襯底材料為主的高新技術(shù)企業(yè)，投資建成了第三代半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)化基地。山東天岳公司是國家工信部主管下的中國寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟理事長單位，是中國戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)企業(yè)理事聯(lián)盟副理事長單位，擁有“碳化硅半導(dǎo)體材料研發(fā)技術(shù)國家地方聯(lián)合工程研究中心”、國家級博士后科研工作站等國家平臺和2個省級研發(fā)平臺。2019年8月，華為通過哈勃投資入股山東天岳先進(jìn)材料科技有限公司，持股10%。
北京天科合達(dá)半導(dǎo)體股份有限公司于2006年9月由新疆天富集團(tuán)、中國科學(xué)院物理研究所共同設(shè)立，是一家專業(yè)從事第三代半導(dǎo)體碳化硅(SiC)晶片研發(fā)、生產(chǎn)和銷售的企業(yè)，為全球SiC晶片的主要生產(chǎn)商之一，擁有一個研發(fā)中心和一個集晶體生長-晶體加工-晶片加工-清洗檢測的全套碳化硅晶片生產(chǎn)基地。
評論區(qū)
